Ciudad de México a 4 de julio de 2013.- El Subsecretario de Educación Media Superior, Dr. Rodolfo Tuirán, se reunió hoy con los Subdirectores de Enlace Operativo de la Dirección General de Educación Tecnológica Industrial (DGETI), a quienes instó a trabajar de manera decidida y creativa para enfrentar los retos de la educación media superior en el país.
El Subsecretario Tuirán hizo un llamado a sumar esfuerzos y compromisos para impulsar un movimiento nacional contra el abandono escolar que incluya acciones concurrentes, acordadas y coordinadas con los estados. Este movimiento deberá sustentarse en la participación de las comunidades escolares: directores de planteles, docentes, padres de familia, estudiantes y otras instancias públicas y sociales.
Derivado de las reformas al artículo 3° constitucional de 2012, que establece la obligatoriedad de la educación media superior, el Gobierno de la República se ha trazado metas ambiciosas que deberán alcanzarse en los próximos años; tal es el caso de la cobertura escolarizada, que tendrá que llegar al equivalente del 80 por ciento de la población de 16 a 18 años para el ciclo escolar 2018-2019, explicó..
El abandono escolar, dijo enfático el Subsecretario Tuirán, es uno de los principales problemas que aqueja a la educación media superior en México: aleja a los jóvenes de las aulas, impidiendo su desarrollo pleno y cancelando sus opciones para alcanzar un futuro próspero.
El Subsecretario presentó un detallado análisis del panorama de la educación media superior en México, en el que identificó los principales retos que enfrenta este nivel educativo, entre los que destacó la urgente necesidad de mejorar la calidad educativa, elevar la pertinencia y relevancia del bachillerato, incentivar la vinculación con el sector productivo, avanzar en la profesionalización docente, mejorar la infraestructura y fortalecer el tejido social.
La DGETI representa el subsistema de educación media superior tecnológica de mayor solidez y dimensión en nuestro país. Es responsable de la operación de 442 planteles.
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